Augststrāvas plēves kondensatora aizbīdnis metināšanas iekārtai (SMJ-TC)

Augststrāvas plēves kondensatora aizslēgs metināšanas iekārtai (SMJ-TC) piedāvātais attēls

Īss apraksts:

Kondensatora modelis: SMJ-TC

Iespējas:

1. Vara uzgriežņu elektrodi

2. Mazs fiziskais izmērs un vienkārša uzstādīšana

3. Mylar lentes uztīšanas tehnoloģija

4. Sausais sveķu pildījums

5. Zemas ekvivalentās sērijas induktivitāte (ESL) un ekvivalentās sērijas pretestība (ESR)

Lietojumprogrammas:

1. GTO Snubber

2. Maksimālā sprieguma un maksimālās strāvas absorbcija un aizsardzība komutācijas komponentiem elektroniskajās iekārtās

Snubber ķēdes ir būtiskas diodēm, ko izmanto komutācijas ķēdēs.Tas var glābt diodi no pārsprieguma tapas, kas var rasties reversās atkopšanas procesa laikā.

Nosūtiet mums e-pastu Lejupielādēt kā PDF

Produkta informācija

Produktu etiķetes

Tehniskie dati

Darba temperatūras diapazons	Max.Darba temperatūra.,Augšējā,maks.: +85℃Augšējās kategorijas temperatūra: +85℃Apakšējās kategorijas temperatūra: -40℃
kapacitātes diapazons	0,22～3μF
Nominālais spriegums	3000V.DC～10000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
Izturēt spriegumu	1,35 Un DC/10S
Izkliedes koeficients	tgδ≤0,001 f=1KHz
Izolācijas pretestība	C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (pie 20℃ 100V.DC 60S) C＞0,33μF RS*C≥5000S (pie 20℃ 100V.DC 60S)
Izturēt triecienstrāvu	skatīt datu lapu
Dzīves ilgums	100 000 h (Un; Θhotspot≤70°C)
Atsauces standarts	IEC 61071;

Funkcija

1. Mylar lente, aizzīmogota ar sveķiem;

2. Vara uzgriežņu vadi;

3. Izturība pret augstu spriegumu, zemu tgδ, zemu temperatūras paaugstināšanos;

4. zems ESL un ESR;

5. Augsta impulsa strāva.

Pieteikums

1. GTO Snubber.

2. Plaši izmanto jaudas elektroniskajās iekārtās, kad maksimālais spriegums, maksimālā strāvas absorbcijas aizsardzība.

Tipiska ķēde

Kontūras zīmējums

Specifikācija

Un=3000V.DC
Kapacitāte (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0,68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Kapacitāte (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1000	470	50
0,68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Kapacitāte (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0,68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260. gads	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Kapacitāte (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1000	470	30
0,68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Kapacitāte (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0.47	54	114	123	35	1300	611	35
0,68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70