Vadošais pielāgota dizaina līdzstrāvas saites kondensatoru ražotājs — aksiālie GTO slāpēšanas kondensatori — CRE

Īss apraksts:

Produkta informācija

Produkta tagi

Saistīts video

Atsauksmes (2)

Mēs esam koncentrējušies arī uz lietu pārvaldības un kvalitātes kontroles metodes uzlabošanu, lai saglabātu ievērojamas priekšrocības sīvi konkurētspējīgā uzņēmumā.Pārveidotāja kondensators , Pēc pasūtījuma izgatavots plēves kondensators , Dc-Link kondensators automobiļu lietojumprogrammāmMūsu produkti ir iemantojuši gan jaunu, gan esošu klientu pastāvīgu atzinību un uzticību. Mēs aicinām jaunus un esošus klientus sazināties ar mums turpmākām biznesa attiecībām un kopīgai attīstībai. Ātrumā tumsā!

Vadošais ražotājs pielāgota dizaina līdzstrāvas saites kondensatoru jomā — aksiālie GTO slāpēšanas kondensatori — CRE Detail:

Tehniskie dati

Darba temperatūras diapazons	Maks. darba temperatūra, augšpusē, maks.: + 85 ℃; augšējās kategorijas temperatūra: +85 ℃; apakšējās kategorijas temperatūra: -40 ℃
kapacitātes diapazons	0,1 μF～5,6 μF
Nominālais spriegums	630 V līdzstrāva ～2000 V līdzstrāva
Kap.tols	±5% (J); ±10% (K)
Iztur spriegumu	1,5Un DC/10S
Izkliedes koeficients	tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz
Izolācijas pretestība	C≤0,33 μF RS≥15000 MΩ (pie 20 ℃ 100 V līdzstrāva 60 s) C＞0,33 μF RS*C≥5000S (pie 20 ℃ 100 V līdzstrāva 60 s)
Izturēt trieciena strāvu
Dzīves ilgums	100 000 h (Un; Θhotspot≤85°C)
Atsauces standarts	IEC 61071; IEC 61881; GB/T17702

Pieteikums

1. IGBT slāpētājs.

2. Plaši izmanto jaudas elektroniskajās iekārtās, kad maksimālais spriegums, maksimālā strāvas absorbcijas aizsardzība.

Kontūras zīmējums

SMJ-TE aksiālais kondensators
Spriegums		Un630V.DC; Urms400Vac; Us 945V

Kapacitāte (µF)	L (mm±1)	T (mm±1)	Augstums (mm±1)	φd (mm)	ESR pie 100 kHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms pie 25 ℃ pie 100 kHz (A)
0,22	32	9.5	17,5	0,8	16	23	300	66	5.3
0,33	32	12	20	1	13	22	200	66	6.5
0,47	32	14,5	22,5	1	11	21	220	103,4	8.3
0,68	32	18	26	1	10	20	180	122,4	9.5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1.5	37	13,5	21,5	1	7	27	150	225	9.5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2.5	37	18	26	1.2	5.5	25	120	300	10.5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4.5	30	110	363	11.2
4	57	27	36,5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40,5	1.2	3.8	32	200	940	13.8
5.6	57	31	33,5	1.2	3.5	32	185	1036	13,5
6.8	37	29	41,5	1.2	2.5	28	100	680	13.8
6.8	57	34	46,5	1.2	2.8	30	180	1224	14.2

Spriegums			Un 1000 V līdzstrāva; Urms 500 V maiņstrāva; Us 1500 V
Kapacitāte (µF)	L (mm±1)	T (mm±1)	Augstums (mm±1)	φd (mm)	ESR pie 100 kHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms pie 25 ℃ pie 100 kHz (A)
0,15	32	10	17,5	0,8	20	20	1100	165	5.5
0,22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0,33	32	15,5	23	1	13	21	1000	330	8.7
0,47	32	18,5	26	1.2	10	23	1000	470	10.5
0,47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9.5
0,68	32	20	32,5	1.2	7	25	900	612	10.8
0,68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21,5	29,5	1.2	5.6	27	900	900	11
1.5	44	26	35,5	1.2	5	29	900	1350	12
1.5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40,5	1.2	4.8	30	800	1600	13.2
2	57	24	33,5	1.2	4.8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42,5	1.2	4.2	32	600	1320	13.8
2.2	57	25	34,5	1.2	4.2	32	500	1100	13,5
2.5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40,5	1.2	3.5	34	480	1440. gadā	15.6
3.3	57	29,5	42	1.2	3.2	35	450	1485. gadā	16,5
3.5	57	30,5	43	1.2	3.2	35	450	1575. gadā	17.2
4.7	57	35	50,5	1.2	3	36	420	1974. gadā	17.8
5.6	57	38,5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2

Spriegums			Un 1200 V līdzstrāva; Urms 550 V maiņstrāva; Us 1800 V
Kapacitāte (µF)	L (mm±1)	T (mm±1)	Augstums (mm±1)	φd (mm)	ESR pie 100 kHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms pie 25 ℃ pie 100 kHz (A)
0,1	32	8.5	16	0,8	20	20	1300	130	6
0,15	32	10	17,5	1	18	20	1200	180	7.5
0,22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0,33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0,47	32	17,5	30	1.2	10	23	1200	564	9.5
0,47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9.8
0,68	32	21,5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0,68	44	18,5	26,5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1.5	44	26,5	39	1.2	5	30	950	1425	13,5
1.5	57	22,5	30,5	1.2	5	29	900	1350	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600	14.2
2	57	26,5	34,5	1.2	4.8	30	750	1500	13.8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760. gadā	14,5
2.2	57	27,5	35,5	1.2	4.2	35	700	1540. gadā	14,5
3	57	29	44,5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30,5	46	1.2	3.2	38	450	1485. gadā	17.8
4.7	57	38	53,5	1.2	3	38	420	1974. gadā	18.2

Spriegums			Un 1700 V līdzstrāva; Urms 600 V maiņstrāva; Us 2550 V
Kapacitāte (µF)	L (mm±1)	T (mm±1)	Augstums (mm±1)	φd (mm)	ESR pie 100 kHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms pie 25 ℃ pie 100 kHz (A)
0,1	32	9.5	17,5	0,8	18	25	1300	130	7.5
0,15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8.5
0,22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0,33	32	18,5	26,5	1	12	22	1200	396	9.9
0,33	44	13,5	21,5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0,47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0,68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33,5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19,5	27,5	1.2	6	33	850	850	10.8
1.5	44	28	40,5	1.2	4.8	25	800	1200	13,5
1.5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13,5
2	44	31,5	47	1.2	4.5	24	750	1500	14.2
2	57	27,5	37	1.2	4.8	32	650	1300	12.8
2.2	44	33,5	49	1.2	4.5	34	700	1540. gadā	15.6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320	14,5
3	57	31	46,5	1.2	4	30	560	1680. gadā	17.2
3.3	57	33	48,5	1.2	3.2	29	500	1650. gadā	17.6
4	57	37	52,5	1.2	3	28	450	1800. gadā	18.2

Spriegums			Un 2000 V līdzstrāva; Urms 700 V maiņstrāva; Us 3000 V
Kapacitāte (µF)	L (mm±1)	T (mm±1)	Augstums (mm±1)	φd (mm)	ESR pie 100 kHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms pie 25 ℃ pie 100 kHz (A)
0,068	32	9	17	0,8	25	23	1500	102	6.9
0,1	32	11.5	19,5	1	18	22	1500	150	8.2
0,1	37	10.5	18,5	1	18	26	1450	145	8
0,22	32	17,5	25,5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0,22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0,33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412,5	9.5
0,33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0,47	44	19,5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0,68	44	24	36,5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0,68	57	18,5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23,5	36	1.2	6	31	950	950	14,5
1.5	57	29,5	42	1.2	5	31	850	1275	14,5
2	57	33	48,5	1.2	4.2	31	750	1500	16,5
2.2	57	35	50,5	1.2	4	30	700	1540. gadā	17.8

Spriegums			Un 3000 V līdzstrāva; Urms 750 V maiņstrāva; Us 4500 V
Kapacitāte (µF)	L (mm±1)	T (mm±1)	Augstums (mm±1)	φd (mm)	ESR pie 100 kHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms pie 25 ℃ pie 100 kHz (A)
0,047	44	13,5	21,5	1	22	20	2000. gadā	94	8.5
0,068	44	17	25	1	20	20	1800. gadā	122,4	10.5
0,1	44	20,5	28,5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0,15	44	26	34	1.2	16	22	1350	202,5	13.8
0,22	44	29	41,5	1.2	14,5	22	1200	264	14,5

Produkta detalizēti attēli:

Saistītā produkta ceļvedis:

Mēs darīsim visu iespējamo, lai būtu izcili un perfekti, un paātrināsim savus soļus, lai ieņemtu vietu starptautisko augstākās klases un augsto tehnoloģiju uzņēmumu rangā, kļūstot par vadošo individuālā dizaina līdzstrāvas saites kondensatoru ražotāju - aksiālo GTO slāpēšanas kondensatoru - CRE. Produkts tiks piegādāts visā pasaulē, piemēram, Rumānijā, Liverpūlē, Butānā. Mūsu modernais aprīkojums, lieliskā kvalitātes vadība, pētniecības un attīstības spējas samazina mūsu cenas. Piedāvātā cena var nebūt viszemākā, taču mēs garantējam, ka tā ir absolūti konkurētspējīga! Laipni lūdzam sazināties ar mums nekavējoties, lai izveidotu turpmākas biznesa attiecības un gūtu abpusējus panākumus!

Axil Snubber kondensators